贺德克压力传感器压力量程的选用应主要考虑三个方面的因素:即传感器的zui大过压能力、精度与压力量程的关系和传感器的价格与压力量程的关系。
单晶硅效应包括n型和p型硅压阻效应。选用扩散硅目的在于在设计制造压力传感器时可根据不同温度下硅扩散层的压阻特性选择合适的扩散条件，力求使贺德克压力传感器具有良好的性能。多晶硅在传感器中有广泛的用途，可作为微结构和填充材料、敏感材料。
贺德克HYDAC压力传感器只有受定向应力时才表现出各向异性，由于应力能引起能带的变化，能量移动，导致电阻率的变化，于是就有电阻的变化，从而产生压阻效应。
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已知范围内的HYDAC传感器线性也可作为选择传感器的附加条件。响应时间通常用时间常数表示，它是选择传感器的另一个基本依据。
当要监视贮槽中温度时，时间常数不那么重要。然而当使用过程中必须测量振动管中的温度时，贺德克压力传感器时间常数就成为选择传感器的决定因素。 |
